加入会员
会员专区
订单查询
客服专区
购物车有件商品
结算中心
首页
实体店风采
政治经济
少儿
教育
文学历史
科技生活
影音文创
秒杀
主题馆
最新资讯
书店排行
书友卡专区
店内活动
全部
图书
音乐
影视
儿童
文体数码
期刊杂志
分类浏览
团购专区
高级搜索
首页
>图书 >
医药
>
临床医学
> 半导体物理性能手册-第2卷-(上册)
半导体物理性能手册-第2卷-(上册)
商品编号:4685523
ISBN:978-7-5603-4516-1
市 场 价:¥148.00
折 扣 价:
¥
135.40
丛书: Springer手册精选原版系列
上架时间:2014/6/13 7:15:55
出版社/厂商: 哈尔滨工业大学出版社发行部
作者: 足立贞夫
出版日期: 2014/4/1 0:00:00
装帧: 平装
内容简介
本书介绍半导体化合物,纤锌矿型氮化镓,立方氮化镓,磷化镓,砷化镓,锑化镓等。
本书介绍半导体化合物,纤锌矿型氮化镓,立方氮化镓,磷化镓,砷化镓,锑化镓等。
目录
Preface
Acknowledgments
Contents of Other Volumes
1 Cubic BoroNitride (c-BN)
1.1 Structural Properties
1.1.1 Ionicity
1.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight
1.1
Preface
Acknowledgments
Contents of Other Volumes
1 Cubic BoroNitride (c-BN)
1.1 Structural Properties
1.1.1 Ionicity
1.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight
1.1.3 Crystal Structure and Space Group
1.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters
1.1.5 Structural Phase Transition
1.1.6 Cleavage Plane
1.2 Thermal Properties
1.2.1 Melting Point and Its Related Parameters
1.2.2 Specific Heat
1.2.3 Debye Temperature
1.2.4 Thermal ExpansioCoefficient
1.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity
1.3 Elastic Properties
1.3.1 Elastic Constant
1.3.2 Third-Order Elastic Constant
1.3.3 Young's Modulus, Poisson's Ratio, and Similar
1.3.4 Microhardness
1.3.5 Sound Velocity
1.4 Phonons and Lattice Vibronic Properties
1.4.1 PhonoDispersioRelation
1.4.2 PhonoFrequency
1.4.3 Mode GruneiseParameter
1.4.4 PhonoDeformatioPotential
1.5 Collective Effects and Related Properties
1.5.1 Piezoelectric Constant
1.5.2 Frohlich Coupling Constant
1.6 Energy-Band Structure: Energy-Band Gaps
1.6.1 Basic Properties
1.6.2 Eo-Gap Region
1.6.3 Higher-Lying Direct Gap
1.6.4 Lowest Indirect Gap
1.6.5 Conduction-Valley Energy Separation
1.6.6 Direct-Indirect-Gap TransitioPressure
1.7 Energy-Band Structure: Electroand Hole Effective Masses l
1.7.1 ElectroEffective Mass: F Valley
1.7.2 ElectroEffective Mass: Satellite Valley
1.7.3 Hole Effective Mass
1.8 'Electronic DeformatioPotential
1.8.1 Intravalley DeformatioPotential: I- Point
1.8.2 Intravalley DeformatioPotential: High-Symmetry Points
1.8.3 Intervalley DeformatioPotential
1.9 ElectroAffinity and Schottky Barrier Height
1.9.1 ElectroAffinity
1.9.2 Schottky Barrier Height
1.10 Optical Properties
1.10.1 Summary of Optical DispersioRelations
1.10.2 The ReststrahleRegion
1.10.3 At or Near the Fundamental AbsorptioEdge
1.10.4 The Interband TransitioRegion
1.10.5 Free-Carrier Absorptioand Related Phenomena
1.11 Elastooptic, Electrooptic, and Nonlinear Optical Properties
1.11.1 Elastooptic Effect
1.11.2 Linear Electrooptic Constant
1.11.3 Quadratic Electrooptic Constant
1.11.4 Franz-Keldysh Effect
1.11.5 Nonlinear Optical Constant
1.12 Carrier Transport Properties
1.12.1 Low-Field Mobility: Electrons
1.12.2 Low-Field Mobility: Holes
1.12.3 High-Field Transport: Electrons
1.12.4 High-Field Transport: Holes
1.12.5 Minority-Carrier Transport: Electrons ip-Type Materials
1.12.6 Minority-Carrier Transport: Holes in-Type Materials
……
2 Hexagonal BoroNitride (h-BN)
3 BoroPhosphide (BP)
4 BoroArsenide (BAs)
5 Wurtzite Aluminum Nitride (w-AIN)
6 Cubic Aluminum Nitride (c-AIN)
8 Aluminum Arsenide (AIAs)
9 Aluminum Antimonide (AISb)
同类商品推荐
中等职业教育教材-有机化学
¥12.30元
滇国青铜艺术
¥283.50元
现代中医临床诊断学
¥74.30元
您最近的浏览历史
半导体物理性能手册-第2卷-(上册)
¥135.40元
浏览此商品的顾客同时关注以下商品
半导体物理性能手册-第2卷-(下册)
¥226.90元
我要评价
尊敬的客户,如果您对该项商品有所评论,请在以下填写!
评论标题:
评 论 人:
评论星级:
评论内容:
验 证 码:
最近24小时排行